2SK3070中文资料Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching数据手册Renesas规格书
2SK3070规格书详情
描述 Description
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
特性 Features
• Low on-resistance RDS(on)=4.5 mΩ typ.
• Low drive current
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
技术参数
- 型号:
2SK3070
- 制造商:
RENESAS
- 制造商全称:
Renesas Technology Corp
- 功能描述:
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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