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2SK3060中文资料SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE数据手册Renesas规格书

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厂商型号

2SK3060

功能描述

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

制造商

Renesas Renesas Technology Corp

中文名称

瑞萨 瑞萨科技有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-26 17:12:00

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2SK3060规格书详情

描述 Description

DESCRIPTION
The 2SK3060 is N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.FEATURES
• Low on-state resistance
   RDS(on)1 = 13 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 35 A)
   RDS(on)2 = 20 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 35 A)
• Low Ciss: Ciss = 2400 pF TYP.
• Built-in gate protection diode

特性 Features

• Low on-state resistance
   RDS(on)1 = 13 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 35 A)
   RDS(on)2 = 20 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 35 A)
• Low Ciss: Ciss = 2400 pF TYP.
• Built-in gate protection diode 

技术参数

  • 型号:

    2SK3060

  • 功能描述:

    2SK3060 Data Sheet | Data Sheet[04/2001]

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
23+
TO-220
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