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2SK3070规格书详情
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
特性 Features
• Low on-resistance RDS(on)=4.5 mΩ typ.
• Low drive current
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
产品属性
- 型号：
2SK3070
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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23+ |
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