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2SK3065T100中文资料PDF规格书

2SK3065T100
厂商型号

2SK3065T100

功能描述

Small switching (60V, 2A)

文件大小

85.22 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Rohm Semiconductor
企业简称

ROHM罗姆

中文名称

罗姆半导体集团官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-28 22:30:00

2SK3065T100规格书详情

Features

1) Low on resistance.

2) High-speed switching.

3) Optimum for a pocket resource etc. because of undervoltage actuation (2.5V actuation).

4) Driving circuit is easy.

5) Easy to use parallel.

6) It is strong to an electrostatic discharge.

Structure

Silicon N-channel

MOS FET transistor

产品属性

  • 型号:

    2SK3065T100

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 60V 2A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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