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2SK2928-E	文件：87.7 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.040 Ωtyp. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：87.7 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
2SK2928	文件：333.1 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：333.1 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SK2928	文件：53.13 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.040Ω typ. • 4V gate drive devices. • High speed switching 文件：53.13 Kbytes 页数：10 Pages	HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司	HITACHI
2SK2928	文件：87.7 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on)= 0.040 Ωtyp. • 4 V gate drive devices. • High speed switching 文件：87.7 Kbytes 页数：8 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

更多2SK2928-E供应商更新时间2026-4-17 17:14:00