| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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13年
留言
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ROHMSMD |
20000 |
25+ |
专做罗姆，一系列可以订货排单，只做原装正品假一罚十 |
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5年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3P |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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10年
留言
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ROHM/罗姆SOT252 |
23600 |
26+ |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
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17年
留言
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30000 |
24+ |
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HITACHI/日立 |
5000 |
23+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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16年
留言
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东芝TO-3P |
38900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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13年
留言
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TOSHIBATO-220F |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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1年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220 |
20000 |
26+ |
公司只有正品,实单来谈 |
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7年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220 |
996880 |
2026+ |
只做原装 欢迎来电资询 |
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6年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3P |
444 |
23+ |
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3年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220 |
20000 |
25+ |
一手货源诚信靠谱现货 |
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12年
留言
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SANKEN/三垦TP-3PF |
9485 |
2450+ |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
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15年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-220 |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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ROHMTO-252 |
30000 |
26+ |
原装 |
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10年
留言
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TOSTO-220F |
10000 |
25+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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13年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3P(N) |
8595 |
2540+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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1年
留言
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东芝TO-220F |
12800 |
26+ |
电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价！ |
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13年
留言
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TOSHIBA(东芝)NA |
20094 |
26+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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6年
留言
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TOSTO-220F |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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8年
留言
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ROHMSOT-428 |
4820 |
24+ |
只做原装正品 |
2SK271采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
2SK271图片
2SK2715-TL资讯
2SK2718
2SK2718 数量4000 东芝 12+ TO-220F 公司名:深圳市铭樂电子有限公司 地址: 深圳华强北 TELL：0755-83230072 QQ:510518949
2SK2715-TL中文资料Alldatasheet PDF
更多2SK2713功能描述:MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK2715TL功能描述:MOSFET POWER MOSFET SURF MOUNT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK2717制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 900V 5A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube
2SK2717(F)制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SK2717(F,T)功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson=2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK2718制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 900V 2.5A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube
2SK2718(Q)制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220(NIS) Bulk
2SK2719功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK2719(F)制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 3A 4.3@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-ch 900V 3A 125W TO-3P(N)
