| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ROHM/罗姆TO-252 |
180 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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ROHM/罗姆SOT252 |
23600 |
21+ |
十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ROHM/罗姆TO252 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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TOSHIBA/东芝TO-3P |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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30000 |
08PB |
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
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HITACHI/日立 |
5000 |
2021+ |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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TOSHIBATO-22OF |
9852 |
1844+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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ROHM/罗姆TO220 |
58000 |
24+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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TOSTO-220F |
10000 |
23+ |
专做原装正品,假一罚百! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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SANKENTO-3PF |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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TOSHIBA/东芝NA |
6500 |
22+ |
只做原装正品现货!假一赔十! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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ROHM/罗姆CPT3 |
25000 |
22+ |
只有原装绝对原装,支持BOM配单! |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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ROHMSOT-252 |
8890 |
23+ |
价格优势、原装现货、客户至上。欢迎广大客户来电查询 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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ROHM/罗姆TO-220 |
9852 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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TOSHIBA(东芝)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
留言
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东芝TO-220F |
880 |
21+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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TOSHIBATO-220F |
3500 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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TOSHIBA/东芝ROHSTO-220F |
880000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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TOSHIBATO-220F |
35685 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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东芝TO-220F |
880 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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2SK2718
2SK2718数量4000 东芝 12+ TO-220F 公司名:深圳市铭樂电子有限公司 地址:深圳华强北 TELL：0755-83230072 QQ:510518949
2SK2718中文资料Alldatasheet PDF
更多2SK2713功能描述:MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK2715TL功能描述:MOSFET POWER MOSFET SURF MOUNT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK2717制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 900V 5A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube
2SK2717(F)制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SK2717(F,T)功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson=2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
2SK2718制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 900V 2.5A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube
2SK2718(Q)制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220(NIS) Bulk
2SK2719功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
2SK2719(F)制造商:Toshiba 功能描述:Nch 900V 3A 4.3@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-ch 900V 3A 125W TO-3P(N)
