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2SK2684L	文件：51.01 Kbytes Page：10 Pages	Silicon N Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=20mΩtyp.(VGS=10V,ID=15A) •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SK2684L	文件：300.03 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK2684L-E	文件：90.19 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features •Lowon-resistance •Highspeedswitching •Lowdrivecurrent •Nosecondarybreakdown •Suitableforswitchingregulator,DC-DCconverter Application Highspeedpowerswitching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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2SK2684S	文件：387.26 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SK2684S	文件：51.01 Kbytes Page：10 Pages	SiliconNChannelDV-LMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=20mΩtyp.(VGS=10V,ID=15A) •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
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更多2SK2684L供应商更新时间2024-4-28 11:36:00

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