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2SK222中文资料N-Channel Junction Silicon FET Low-Frequency, Low Noise Amplifier Applications数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

2SK222

参数属性

2SK222 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

功能描述

N-Channel Junction Silicon FET Low-Frequency, Low Noise Amplifier Applications

封装外壳

TO-220-3 整包

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 8:49:00

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技术参数

  • 产品编号:

    2SK2221-E

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • FET 类型:

    N 通道

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    8A(Ta)

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 功率耗散(最大值):

    100W(Tc)

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    TO-3P

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 描述:

    MOSFET N-CH 200V 8A TO3P

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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