N-channel MOS-FET

Features - High Speed Switching - Low On-Resistance - No Secondary Breakdown - Low Driving Power - High Voltage - VGS= ± 30V Guarantee - Avalanche Proof

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FUJI

富士通

N-channel MOS-FET

- High Speed Switching\n- Low On-Resistance\n- No Secondary Breakdown\n- Low Driving Power\n- High Voltage\n- VGS= ± 30V Guarantee\n- Avalanche Proof;

FUJI

富士通

SOT-223

NEC

瑞萨

上传：深圳市勤思达科技有限公司

SOT-23

TOSHIBA/东芝

上传：深圳市信科顺电子有限公司

SOT-23

TOSHIBA/东芝

上传：深圳广友电子有限公司