SILICON N-CHANNEL MOS FET

SILICON N-CHANNEL MOS FET

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

Fast Switching Speed

DESCRIPTION • Drain Current –ID= 6A@ TC=25℃ • Drain Source Voltage- : VDSS= 900V(Min) • Fast Switching Speed APPLICATIONS • Designed for high voltage, high speed power switching

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 5A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 1000V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 2.0Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 500V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.6Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION · Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

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ISC

无锡固电

Fast Switching Speed

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ISC

无锡固电

Fast Switching Speed

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ISC

无锡固电

Fast Switching Speed

文件：67.03 Kbytes 页数：2 Pages

ISC

无锡固电

SILICON N-CHANNEL MOS FET

文件：48.56 Kbytes 页数：1 Pages

HITACHI-METALS

日立金属

Fast Switching Speed

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ISC

无锡固电

Isc N-Channel MOSFETransistor

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ISC

无锡固电