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2SJ690-T1B-AT	文件：267.05 Kbytes Page：8 Pages	P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING DESCRIPTION The2SJ690isaP-channelMOSFETdesignedforpowerswitch ofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdriveavailable •Lowon-stateresistance RDS(on)1=119mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−1.0A) RDS(on)2=217mΩMAX.(VGS=−2.5V,ID=−1.0A) •Built-ingateprotec	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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文件：267.05 Kbytes

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P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING

DESCRIPTION The2SJ690isaP-channelMOSFETdesignedforpowerswitch ofportablemachineandsoon. FEATURES •2.5Vdriveavailable •Lowon-stateresistance RDS(on)1=119mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−1.0A) RDS(on)2=217mΩMAX.(VGS=−2.5V,ID=−1.0A) •Built-ingateprotec

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