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2SJ607	文件：50.09 Kbytes Page：2 Pages	MOSFieldEffectTransistor Features ●Lowon-resistance RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=-10V,ID=-42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=-4.0V,ID=-42A) ●LowCiss:Ciss=7500pFTYP. ●Built-ingateprotectiondiode	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ607	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ607	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607-S	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607-S	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ607-Z	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
2SJ607-Z	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607-ZJ	文件：213.66 Kbytes Page：10 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING P-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesigned forhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ607-ZJ	文件：1.5285 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=-60V ●ID=-83A ●RDS(ON)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ607-ZJ	文件：78.57 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION The2SJ607isP-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. FEATURES •Superlowon-stateresistance: RDS(on)1=11mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−42A) RDS(on)2=16mΩMAX.(VGS=−4.0V,ID=−42A) •Lowinputcapacitance: Ciss=	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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深圳市宏兴瑞科技有限公司	2SJ607功率三极管	NEC	24+	TO220	60000	全新原装现货	询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	2SJ608	SANYO/三洋	23+	B	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多2SJ607功率三极管供应商更新时间2025-5-20 11:00:00

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