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2SJ606-Z中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SJ606-Z
厂商型号

2SJ606-Z

功能描述

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

78.79 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
NEC
数据手册

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更新时间

2025-8-3 20:00:00

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2SJ606-Z规格书详情

DESCRIPTION

The 2SJ606 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

• Super low on-state resistance:

RDS(on)1= 15 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −42 A)

RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.0 V, ID= −42 A)

• Low input capacitance:

Ciss= 4800 pF TYP. (VDS= −10 V, VGS= 0 V)

• Built-in gate protection diode

产品属性

  • 型号:

    2SJ606-Z

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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