2SJ606-S中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
2SJ606-S规格书详情
DESCRIPTION
The 2SJ606 is P-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.
FEATURES
• Super low on-state resistance:
RDS(on)1= 15 mΩMAX. (VGS= −10 V, ID= −42 A)
RDS(on)2= 23 mΩMAX. (VGS= −4.0 V, ID= −42 A)
• Low input capacitance:
Ciss= 4800 pF TYP. (VDS= −10 V, VGS= 0 V)
• Built-in gate protection diode
产品属性
- 型号：
2SJ606-S
- 制造商：
NEC
- 制造商全称：
NEC
- 功能描述：
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS(瑞萨)/IDT |
24+ |
7350 |
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询价 | |||
NEC |
24+ |
NA/ |
3327 |
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NEC |
1715+ |
SOP |
251156 |
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询价 | ||
NEC |
23+ |
TO-220 |
35890 |
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NEC |
25+23+ |
TO263 |
75204 |
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NEC |
23+ |
MP-25ZKTO-263 |
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询价 | ||
NEC |
24+ |
TO-262 |
8866 |
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NEC |
24+ |
TO-220 |
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询价 | ||
NEC |
22+ |
TO-262 |
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NEC |
24+ |
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