2SJ539数据手册HITACHI中文资料规格书
2SJ539规格书详情
描述 Description
Silicon P Channel MOS FET High Speed Power Switching
特性 Features
· Low on-resistance
RDS(on) = 0.16 Wtyp.
· Low drive current
· 4 V gete drive devices
· High speed switching
技术参数
- 型号：
2SJ539
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon P Channel MOS FET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
35750 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
RENESAS |
20+ |
TO-220 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
RENESAS |
05+ |
TO-220 |
2621 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-220 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
询价 | ||
24+ |
75000 |
询价 | |||||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-220 |
2035880 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
HIT |
23+ |
TO252 |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-220 |
32500 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
询价 | ||
RENESAS/瑞萨 |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
VBsemi/台湾微碧 |
21+ |
TO220 |
5772 |
原装现货假一赔十 |
询价 |
