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2SJ530	文件：57.57 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ530	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ530(L)_15	文件：114.53 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPChannelMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ530L	文件：57.57 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ530L	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ530L	文件：976.24 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ530L-E	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ530S	文件：45.38 Kbytes Page：1 Pages	HightSpeedPowerSwitching Features ●Lowon-resistanceRDS(on)=0.08typ. ●Highspeedswitching ●4Vgatedrivedevices.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ530S	文件：57.57 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SJ530S	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ530STL-E	文件：94.88 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistanceRDS(on)=0.08Ωtyp. •4Vgatedrivedevices. •Highspeedswitching.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ530STL-E	文件：988.35 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市航润创能电子集团有限公司	2SJ530TL-E	RENESAS	21+	TO-252	2982	原装现货假一赔十	询价
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深圳市环球伟业电子有限公司	2SJ530TL-E	RENESAS/Renesas Electronics Am	21+	TO-252	2982	优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票	询价
深圳市智创诚芯电子科技有限公司	2SJ530TL-E	RENESAS	22+	TO-252	25000	原装现货,价格优惠,假一罚十	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SJ530TL-E	RENESAS	1437+	TO-252	2952	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	2SJ530TL-E	RENESAS			589220	16余年资质绝对原盒原盘更多数量	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	2SJ530TL-E	RENESAS	2023+	TO-252	700000	柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	2SJ530TL-E	RENESAS	2023+	TO-252	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	2SJ531	HIT	05+	TO-220F	20000		询价

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