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2SJ529	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ529	文件：53.04 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ529(L)_15	文件：114.08 Kbytes Page：11 Pages	SiliconPChannelMOSFET	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ529L	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ529L	文件：53.04 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SJ529L	文件：976.27 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
2SJ529L-E	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ529S	文件：94.51 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFET Description Highspeedpowerswitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgatedrivedevices •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SJ529S	文件：45.39 Kbytes Page：1 Pages	HightSpeedPowerSwitching Features Lowon-resistance RDS(on)=0.12typ. Highspeedswitching 4Vgatedrivedevices.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SJ529S	文件：53.04 Kbytes Page：9 Pages	SiliconPChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=0.12Ωtyp. •4Vgetedrivedevices •Highspeedswitching	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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