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2SJ483TZ-E中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

2SJ483TZ-E
厂商型号

2SJ483TZ-E

功能描述

Silicon P Channel MOS FET

文件大小

1.29646 Mbytes

页面数量

7

生产厂商 Renesas Technology Corp
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 17:10:00

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2SJ483TZ-E规格书详情

描述 Description

High speed power switching

特性 Features

• Low on-resistance

RDS (on) = 0.08 Ω typ (at VGS = –10 V, ID = –2.5 A)

• 4 V gate drive devices.

• Large current capacitance

ID = –5 A

产品属性

  • 型号:

    2SJ483TZ-E

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon P Channel MOS FET

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
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