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2SJ462
厂商型号

2SJ462

功能描述

P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING

文件大小

63.14 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-23 22:59:00

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2SJ462规格书详情

DESCRIPTION

The 2SJ462 is a switching device which can be driven directly by an IC operating at 3 V.

The 2SJ462 features a low on-state resistance and can be driven by a low voltage power source, so it is suitable for applications such as power management.

FEATURES

• Can be driven by a 2.5 V power source.

• New-type compact package.

Has advantages of packages for small signals and for power

transistors, and compensates those disadvantages.

• Low on-state resistance.

RDS(ON) : 0.29 Ω MAX. @VGS = –2.5 V, ID = –0.5 A

RDS(ON) : 0.19 Ω MAX. @VGS = –4.0 V, ID = –1.0 A

产品属性

  • 型号:

    2SJ462

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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