2SJ222-E中文资料瑞萨数据手册PDF规格书
2SJ222-E规格书详情
Description
High speed power switching
Features
• Low on-resistance
• High speed switching
• Low drive current
• 4 V gate drive device
-Can be driven from 5 V source
• Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive
产品属性
- 型号：
2SJ222-E
- 制造商：
RENESAS
- 制造商全称：
Renesas Technology Corp
- 功能描述：
Silicon P Channel MOS FET
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI |
23+ |
TO-252 |
10000 |
公司只做原装正品 |
询价 | ||
NEC |
08PB |
66000 |
询价 | ||||
HITACHI |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
NEC |
23+ |
SOT252 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
HITACHI |
22+ |
TO-252 |
32350 |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
23+ |
TO-220F |
90000 |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
询价 | ||
HITACHI |
1922+ |
TO-220F |
452 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
日立 |
23+ |
TO-220 |
3000 |
全新原装 |
询价 | ||
HITACHI/日立 |
TO-252 |
22+ |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
NEC |
21+ |
SOT252 |
482 |
原装现货假一赔十 |
询价 |
