2SJ200数据手册Toshiba中文资料规格书
2SJ200规格书详情
描述 Description
Polarity：P-ch
Generation：π-MOSⅡ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
特性 Features
Drain current ID -10 A
Power Dissipation PD 120 W
Drain-Source voltage VDSS -180 V
技术参数
- 制造商编号
：2SJ200
- 生产厂家
：Toshiba
- Product Category
：Power MOSFET (P-ch single)
- Package name(Toshiba)
：TO-3P(N)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
65 |
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TOSHIBA |
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TO3P |
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TOSHIBA |
12+ |
TO-3P |
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TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO-3P(N) |
25000 |
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TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO-3P |
12245 |
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TOSHIBA |
24+ |
TO-3P |
5000 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
2023+ |
TO-3P |
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TOSHIBA |
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TO-92 |
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TOSHIBA |
23+ |
TO-3P |
9526 |
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HITACHI |
24+ |
60000 |
询价 |
