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2SD882中文资料NPN中等功率晶体管数据手册ST规格书

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厂商型号

2SD882

参数属性

2SD882 封装/外壳为TO-225AA,TO-126-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 30V 3A SOT32

功能描述

NPN中等功率晶体管
TRANS NPN 30V 3A SOT32

封装外壳

TO-225AA,TO-126-3

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-29 9:08:00

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2SD882规格书详情

描述 Description

The device is a NPN transistor manufactured by using planar technology resulting in rugged high performance devices. The complementary PNP type is 2SB772.

特性 Features

• High current
• Complent to 2SB772
• Low saturation voltage

简介

2SD882属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的2SD882晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :2SD882

  • 生产厂家

    :ST

  • Package

    :SOT-32

  • Grade

    :Industrial

  • Transistor Polarity

    :NPN

  • Collector-Emitter Voltage_nom(V)

    :30

  • Collector-Base Voltage_max(V)

    :60

  • Collector Current_max(A)

    :3

  • Dc Current Gain_min

    :100

  • Dc Current Gain_max

    :300

  • Test Condition for hFE (IC)

    :0.1

  • Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)

    :2

  • VCE(sat)_max(V)

    :0.4

  • Test Condition for VCE(sat) - IC

    :1

  • Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)

    :50

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
23+
SOT-32-3
12820
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ST/意法半导体
24+
SOT-32-3
20000
现货
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