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2SD882-O	文件：315.86 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof1.25WattsofPowerDissipation. •Collector-current3.0A •Collector-baseVoltage40V	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD882-P	文件：584.96 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors Features ●ExcellenthFElinearityandhighhFE hFE=60to400(VCE=2V,IC=1A)	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
2SD882-P	文件：917.04 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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2SD882-P-HF	文件：482.84 Kbytes Page：1 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD882PT	文件：126.87 Kbytes Page：4 Pages	NPNEpitaxialTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT3Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SC-62/SOT-89) LowsaturationvoltageVCE(sat)=0.5V(max.)(IC=2A) Highspeedswitchingtime:tstg=1.0uSec(typ.) PC=1.5W(mountedonceramicsubstrate). Highsaturationcurrentcapability APPLICATION Powerd	CHENMKOCHENMKO ENTERPRISE CO., LTD. 力勤力勤股份有限公司	CHENMKO
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