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2SD864

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

DESCRIPTION ·High DC Current Gain : hFE = 1000(Min)@ IC= 1.5A ·Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO = 120V(Min) ·Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.5V(Max)@ IC= 1.5A ·Complement to Type 2SB765 APPLICATIONS ·Medium speed and power switching appl

文件:250.68 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

2SD864

Silicon NPN Triple Diffused

Application\nMedium speed and power switching complementary pair with 2SB765(K)

HITACHI

日立

2SD882L-P

TO-126

UTC/友顺

2SD882SG-P

SOT-89

UTC/友顺

2SD965AL-R-T92-B

TO92

晶体管资料

  • 型号:

    2SD864(K)

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    120V

  • 最大电流允许值:

    3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BDW53D,BDW63D,BDT61C,2SD1147,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

    β>1000

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    120

  • htest:

    999900

  • atest:

    3

  • wtest:

    30

详细参数

  • 型号:

    2SD864

  • 制造商:

    ISC

  • 制造商全称:

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述:

    Silicon NPN Darlington Power Transistor

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
TO-220
10000
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HITACHI/日立
22+
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T0-3
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原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
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