2SD864中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
2SD864规格书详情
DESCRIPTION
·High DC Current Gain : hFE = 1000(Min)@ IC= 1.5A
·Collector-Emitter Breakdown Voltage : V(BR)CEO = 120V(Min)
·Low Collector-Emitter Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.5V(Max)@ IC= 1.5A
·Complement to Type 2SB765
APPLICATIONS
·Medium speed and power switching applications.
产品属性
- 型号：
2SD864
- 制造商：
ISC
- 制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述：
Silicon NPN Darlington Power Transistor
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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