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|---|---|---|---|---|
2SD812 | isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Wide Area of Safe Operation ·Complement to Type 2SB747 APPLICATIONS ·High power amplifier applications. ·Suitable for 15~20W home stereo output amplifier and voltage regulato 文件：254.98 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | |
TO-126 | UTC/友顺 上传：深圳广友电子有限公司 | UTC/友顺 | ||
SOT-89 | UTC/友顺 上传：深圳广友电子有限公司 | UTC/友顺 | ||
TO92 | UTC | |||
TO-92 | UTC/友顺 上传：深圳广友电子有限公司 | UTC/友顺 |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
- 封装形式：
直插封装
- 极限工作电压：
80V
- 最大电流允许值：
5A
- 最大工作频率：
15MHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
BD243B,BD539B,BD543B,BD809,BD951,3DD159A,
- 最大耗散功率：
40W
- 放大倍数：
- 图片代号：
B-10
- vtest：
80
- htest：
15000000
- atest：
5
- wtest：
40
详细参数
- 型号：
2SD812
- 制造商：
Distributed By MCM
- 功能描述：
SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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更新时间2026-1-17 18:54:00
