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2SD812	文件：254.98 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V(Min) ·Good Linearity of hFE ·Wide Area of Safe Operation ·Complement to Type 2SB747 APPLICATIONS ·High power amplifier applications. ·Suitable for 15~20W home stereo output amplifier and voltage regulato 文件：254.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
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更多2SD812供应商更新时间2025-10-13 17:23:00