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2SD669C	文件：280.24 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof1WattsofPowerDissipation. •Collector-current1.5A •Collector-baseVoltage180V •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD669	文件：280.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof1WattsofPowerDissipation. •Collector-current1.5A •Collector-baseVoltage180V •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD669	文件：138.23 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD669	文件：90.68 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:1.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:180V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
2SD669	文件：77.11 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SB649/A	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD669	文件：245.17 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistors NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
2SD669	文件：126.08 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD669	文件：276.3 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SB649/649A(PNP) ·HighbreakdownvoltageVCEO:120/160V ·Highcurrent1.5A ·Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS ·Forlow-frequencypower amplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD669	文件：1.22636 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowFrequencyPowerAmplifierComplementaryPairwith2SB649/2SB649A	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SD669	文件：242.48 Kbytes Page：3 Pages	NPNTypePlasticEncapsulateTransistors FEATURES PowerdissipationPCM:1mW（Tamb=25℃） CollectorcurrentICM:1.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:180V Collector-emittervoltageVCEO2SD669:120V2SD669A:160V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS

详细参数

型号：
2SD669C
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | NPN | 120V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	2SD669-C	HITACHI	23+	TO-126	80000	原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详	询价
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2SD669-C-BP	Micro Commercial Co	2022+	-	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SD669-C-BP	Micro Commercial Co	25+	TO-225AA TO-126-3	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市鹏和科技有限公司	2SD669-D	UTC	24+	TO-126	5000	全现原装公司现货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SD669G-B-AA3-R	UTC/友顺	2022+	SOT-223	32500	原厂代理终端免费提供样品	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SD669G-B-AA3-R	UTC/友顺	2022+	SOT-223	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	2SD669G-B-AA3-R	UTC/友顺	20+	SOT-223	32500	现货很近!原厂很远!只做原装	询价
深圳市南科功率半导体有限公司	2SD669G-B-AA3-R	NK/南科功率	2025+	SOT-223	986966	国产	询价
深圳市盈慧通电子有限公司	2SD669G-B-AA3-R	UTC/友顺	2511	SOT-223	360000	电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SD669G-D-AB3-R	UTC	20+	SOT-89	1115	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价

更多2SD669C供应商更新时间2025-7-24 16:32:00

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