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2SD669A-C-BP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-225AA，TO-126-3 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 1.5A TO126	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SD669	文件：36.07 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNPNEpitaxial Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SB649/A(PNP)	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
2SD669	文件：245.17 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistors NPNEpitaxialPlanarTransistors P/bLead(Pb)-Free	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
2SD669	文件：77.11 Kbytes Page：5 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR NPNSILICONTRANSISTOR APPLICATIONS *LowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwithUTC2SB649/A	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD669	文件：90.68 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulatedTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:1.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:180V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	TEL TRANSYS Electronics Limited	TEL
2SD669	文件：276.3 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNPNPowerTransistors DESCRIPTION ·WithTO-126package ·Complementtotype2SB649/649A(PNP) ·HighbreakdownvoltageVCEO:120/160V ·Highcurrent1.5A ·Lowsaturationvoltage,excellenthFElinearity APPLICATIONS ·Forlow-frequencypower amplifierapplications	SAVANTIC Savantic, Inc.	SAVANTIC
2SD669	文件：126.08 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD669	文件：280.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof1WattsofPowerDissipation. •Collector-current1.5A •Collector-baseVoltage180V •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SD669	文件：1.01979 Mbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126PlasticPackage. Descriptions SiliconNPNtransistorinaTO-126PlasticPackage. Features Complementarypairwith2SB649(A). Applications Lowfrequencypoweramplifier.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD669	文件：242.48 Kbytes Page：3 Pages	NPNTypePlasticEncapsulateTransistors FEATURES PowerdissipationPCM:1mW（Tamb=25℃） CollectorcurrentICM:1.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:180V Collector-emittervoltageVCEO2SD669:120V2SD669A:160V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
2SD669	文件：138.23 Kbytes Page：4 Pages	BIPOLARPOWERGENERALPURPOSETRANSISTOR	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD669	文件：1.22636 Mbytes Page：4 Pages	TO-126Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●LowFrequencyPowerAmplifierComplementaryPairwith2SB649/2SB649A	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD669	文件：172.73 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES PowerdissipationPCM:1W(Tamb=25℃) CollectorcurrentICM:1.5A Collector-basevoltageV(BR)CBO:180V OperatingandstoragejunctiontemperaturerangeTJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD669	文件：211.26 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypair with2SB649/A	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SD669	文件：297.75 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD669	文件：1.56799 Mbytes Page：5 Pages	TO-252-2LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowFrequencyPowerAmplifierComplementary Pairwith2SB649	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD669A	文件：211.26 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) TRANSISTOR(NPN) FEATURES Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypair with2SB649/A	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SD669A	文件：299.51 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD669A	文件：414.34 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •Capableof1WattsofPowerDissipation. •Collector-current1.5A •Collector-baseVoltage180V •	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
2SD669A	文件：63.21 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR Themainpurpose Forlow-frequencypoweramplification.	HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件	Huashan

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产品属性

产品编号：
2SD669A-C-BP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，5V
频率 - 跃迁：
140MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-225AA，TO-126-3
供应商器件封装：
TO-126
描述：
TRANS NPN 160V 1.5A TO126

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	2SD669A-C-BP	Micro Commercial Co	24+	TO-225AA,TO-126-3	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
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更多2SD669A-C-BP供应商更新时间2024-5-27 8:24:00

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