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2SD667A	文件：791.4 Kbytes Page：3 Pages	TO-92LTransistor(NPN)	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
2SD667A	文件：32.13 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNEpitaxial 1.Lowfrequencypoweramplifier 2.Complementarypairwith2SB647/A	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
2SD667A	文件：215.28 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICALSPECIFICATIONSOFNPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description Designedforlowfrequencypoweramplifierapplications.	DCCOM Dc Components	DCCOM
2SD667A	文件：70.35 Kbytes Page：1 Pages	1A,120VNPNPlasticEncapsulatedTransistor FEATURES •LowFrequencyPowerAmplifier •ComplementaryPairwith2SB647A	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD667A	文件：279.87 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SD667A	文件：903.2 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-92LMPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD667A-B	文件：624.11 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Capableof0.9WattsofPowerDissipation. •Collector-current1.0A •Collector-baseVoltage120V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C •Halogenfreeavailableuponrequestby	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD667ABTZ-E	文件：159.75 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNEpitaxial Application •Lowfrequencypoweramplifier •Complementarypairwith2SB647/A	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
2SD667A-C	文件：624.11 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconPlastic-EncapsulateTransistor Features •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Capableof0.9WattsofPowerDissipation. •Collector-current1.0A •Collector-baseVoltage120V •Operatingandstoragejunctiontemperaturerange:-55°Cto+150°C •Halogenfreeavailableuponrequestby	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD667ACTZ-E	文件：159.75 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNEpitaxial Application •Lowfrequencypoweramplifier •Complementarypairwith2SB647/A	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

产品属性

产品编号：
2SD667L-B-AP
制造商：
Micro Commercial Co
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10µA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 150mA，5V
频率 - 跃迁：
140MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装：
TO-92
描述：
TRANS NPN 80V 1A TO92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	2SD667L-B-AP	Micro Commercial Co	2022+	-	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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