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2SD637	文件：46.82 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type For low-power general amplification ■ Features ● High foward current transfer ratio hFE. ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circuit board. 文件：46.82 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD638	文件：40.07 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For medium-power general amplification) Silicon NPN epitaxial planer type For medium-power general amplification Complementary to 2SB643 and 2SB644 ■Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed 文件：40.07 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD638	文件：39.78 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-power general amplification) For low-frequency general amplification ■Features •M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circuit board. 文件：39.78 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD639	文件：40.07 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN epitaxial planer type(For medium-power general amplification) Silicon NPN epitaxial planer type For medium-power general amplification Complementary to 2SB643 and 2SB644 ■Features ● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat). ● M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed 文件：40.07 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD639	文件：39.78 Kbytes Page：2 Pages	Silicon PNP epitaxial planer type(For low-power general amplification) For low-frequency general amplification ■Features •M type package allowing easy automatic and manual insertion as well as stand-alone fixing to the printed circuit board. 文件：39.78 Kbytes 页数：2 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD632	文件：266.98 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：266.98 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD636	文件：60.72 Kbytes Page：1 Pages	NPN Transistor 文件：60.72 Kbytes 页数：1 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD637	文件：60.72 Kbytes Page：1 Pages	NPN Transistor 文件：60.72 Kbytes 页数：1 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD638	文件：73.1 Kbytes Page：3 Pages	For Medium-Power General Amplification 文件：73.1 Kbytes 页数：3 Pages	PANASONIC 松下	PANASONIC
2SD633P	文件：300 bytes Page：1 Pages	V(cbo): 100V; V(ceo): 85V; V(ebo): 6V; 6A; 60W; epitaxial planar silicon transistor. For 85V/6A, AF 35 to 45W output applications	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

晶体管资料

型号：
2SD639
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
通用型（Uni）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.5A
最大工作频率：
200MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BC337,BC377,BC637,BC737,2N3700,2N3701,2SC2235,3DG121C,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
A-71
vtest：
60
htest：
200000000
atest：
0.5
wtest：
0.6

详细参数

型号：
2SD63
制造商：
Panasonic Industrial Company
功能描述：
TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市旺财半导体有限公司	2SD639	TOS	23+	TO	20000	正品原装货价格低	询价
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更多2SD63供应商更新时间2026-3-10 10:31:00

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