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2SD313	文件：1.02553 Mbytes Page：3 Pages	丝印：2SD313；Package：TO-220-3L；TO-220-3L Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Low Collector-Emitter Saturation Voltage Vce(sat)=1V(MAX)@IC=2A,IB=0.2A DC Current Gain hFE=40~320@IC=1A Complementray to PNP 2SB507 文件：1.02553 Mbytes 页数：3 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
2SD313	文件：126.14 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.75 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：126.14 Kbytes 页数：1 Pages	WINNERJOIN 永而佳	WINNERJOIN
2SD313	文件：101.69 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB507 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplifier 文件：101.69 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD313	文件：30.57 Kbytes Page：1 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER Complement to 2SB507 文件：30.57 Kbytes 页数：1 Pages	WINGS 永盛电子	WINGS
2SD313	文件：610.01 Kbytes Page：6 Pages	Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. Descriptions Silicon NPN transistor in a TO-220 Plastic Package. Features Low Current Low Voltage. Applications Low frequency power amplifier applications. 文件：610.01 Kbytes 页数：6 Pages	FOSHAN 蓝箭电子	FOSHAN
2SD313	文件：54.65 Kbytes Page：1 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES Power dissipation PCM: 1.75 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: 3 A Collector-base voltage V(BR)CBO: 60 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃ 文件：54.65 Kbytes 页数：1 Pages	TEL	TEL
2SD313	文件：115.15 Kbytes Page：3 Pages	POWER TRANSISTORS(3A,60V,30W) 3 AMPERE POWER TRANSISTOR 60 VOLT 30 WATTS 文件：115.15 Kbytes 页数：3 Pages	MOSPEC 统懋	MOSPEC
2SD313	文件：201.5 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon Epitaxial Power Transistor Features: * DC Current Gain hFE = 40-320 @IC = 1.0A * Low VCE(sat) ≤ 1.0V(MAX) @IC = 2.0A, IB = 0.2A * Complememtary to NPN 2SB507 文件：201.5 Kbytes 页数：4 Pages	WEITRON	WEITRON
2SD313	文件：194.98 Kbytes Page：1 Pages	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for general-purpose amplifier and switching applications. 文件：194.98 Kbytes 页数：1 Pages	DCCOM 道全	DCCOM
2SD313	文件：93.73 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION ·With TO-220C package ·Complement to type 2SB507 ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·Designed for the output stage of 15W to 25W AF power amplifier 文件：93.73 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC

晶体管资料

型号：
2SD313
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
开关管（S）_功率放大（L）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
3A
最大工作频率：
8MHZ
引脚数：
3
可代换的型号：
BDY241A,BD243A,BD535,BD539A,BD577,BD935,D651,3DA4306,3DD30A,
最大耗散功率：
30W
放大倍数：
图片代号：
B-90
vtest：
60
htest：
8000000
atest：
3
wtest：
30

技术参数

PCM(W)：
1.75
IC(A)：
3
VCBO(V)：
60
VCEO(V)：
60
VEBO(V)：
5
hFEMin：
40
hFEMax：
320
hFE@VCE(V)：
2
hFE@IC(A)：
1
VCE(sat)(V)：
1
VCE(sat)\u001E@IC(A)：
2
VCE(sat)\u001E@IB(A)：
0.2
Package：
TO-220-3L

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	2SD313	ONSEMI/安森美	25+	TO-220	45000	ONSEMI/安森美全新现货2SD313即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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深圳市莱克讯科技有限公司	2SD313	FSC	1922+	TO-220	6896	原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货	询价

更多2SD31供应商更新时间2025-12-22 14:14:00

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