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2SD2275	文件：251.47 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •HighDCCurrentGain-:hFE=5000(Min.)@(IC=4A,VCE=5V) •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.5V(Max)@(IC=4A,IB=4mA)B •ComplementtoType2SB1502 APPLICATIONS •Designedforpoweramplification.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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2SD2275

文件：251.47 Kbytes

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iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=100V(Min) •HighDCCurrentGain-:hFE=5000(Min.)@(IC=4A,VCE=5V) •LowCollectorSaturationVoltage-:VCE(sat)=2.5V(Max)@(IC=4A,IB=4mA)B •ComplementtoType2SB1502 APPLICATIONS •Designedforpoweramplification.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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SiliconNPNtriplediffusionplanartypeDarlington(Forpoweramplification)

SiliconNPNtriplediffusionplanartypeDarlington Forpoweramplification Complementaryto2SB1502 ■Features ●Optimumfor55WHiFioutput ●HighfowardcurrenttransferratiohFE:5000to30000 ●LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat):

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PanasonicPanasonic Semiconductor

松下松下电器

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详细参数

型号：
2SD2275S
功能描述：
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 100V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-247VAR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	2SD2276	MAT	TO-3PL	22+	6000	十年配单,只做原装	询价
深圳市创新迹电子有限公司	2SD2276	MAT	22+	TO-3PL	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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深圳市明嘉莱科技有限公司	2SD227-Y	TOSHIBA/东芝	24+	TO92	990000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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详细参数

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