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2SD2166	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor(Strobeflash) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.25V(Typ.) (IC/IB=4A/0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe 2SB1386/2SB1412/2SB1326/2SB1436. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2166	文件：787.61 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaTO-126FPlasticPackage.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
2SD2166Q	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor(Strobeflash) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.25V(Typ.) (IC/IB=4A/0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe 2SB1386/2SB1412/2SB1326/2SB1436. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2166R	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor(Strobeflash) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.25V(Typ.) (IC/IB=4A/0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe 2SB1386/2SB1412/2SB1326/2SB1436. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm Semiconductor 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

更多2SD2166-R供应商更新时间2024-5-18 10:02:00