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2SD2165	文件：118.5 Kbytes Page：5 Pages	NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR(DARLINGTONCONNECTION)FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING NPNSILICONEPITAXIALTRANSISTOR FORLOW-FREQUENCYPOWERAMPLIFIERSANDLOW-SPEEDSWITCHING The2SD2165isasinglepowertransistordevelopedespeciallyforhighhFE.ThistransistorisidealforsimplifyingdrivecircuitsandreducingpowerdissipationbecauseitshFEisashighasthatofDar	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
2SD2165	文件：194.67 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain- :hFE=800(MIN)@(VCE=5V,IC=1A) •LowCollector-EmitterSaturationVoltage :VCE(sat)=1V(MIN)@(IC=3V,IB=30mA) •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforuselowfrequ	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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更多2SD2165-K供应商更新时间2024-6-15 15:30:00

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