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2SD2153T100V

High gain amplifier transistor (25V / 2A)

Features 1)Low saturation voltage. typically VCE(sat)=120mV at IC/IB=1A/20mA 2)High DC current gain Application LOW FREQUENCY POWER AMP

文件:1.46177 Mbytes 页数:9 Pages

ROHM

罗姆

2SD2153T100V

NPN High hFE Transistor

ROHM

罗姆

2SD2153T100W

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP BJT NPN 25V 2A 4PIN

ROHM

罗姆

2SD2153T100U

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 25V 2A MPT3

ROHM

罗姆

2SD2153T100V

Package:TO-243AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 25V 2A MPT3

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2SD2153T100W

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ROHM

罗姆

产品属性

  • 产品编号:

    2SD2153T100V

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 20mA,1A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    820 @ 500mA,6V

  • 频率 - 跃迁:

    110MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    MPT3

  • 描述:

    TRANS NPN 25V 2A MPT3

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更多2SD2153T100供应商 更新时间2026-3-17 14:00:00