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2SD2141	文件：33.11 Kbytes Page：1 Pages	SiliconNPNTripleDiffusedPlanarTransistor	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken
2SD2141	文件：255.02 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=1500(Min)@IC=3A •LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=4A •Incorporatingabuilt-inzenerdiode •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforus	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor

DESCRIPTION •HighDCCurrentGain-:hFE=1500(Min)@IC=3A •LowCollector-EmitterSaturationVoltage-:VCE(sat)=1.5V(Max)@IC=4A •Incorporatingabuilt-inzenerdiode •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •Designedforus

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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SiliconNPNTripleDiffusedPlanarTransistor(Ignitor,DriverforSolenoidandMotor,andGeneralPurpose)

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更多2SD2141G供应商更新时间2024-9-23 17:18:00

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