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2SD2097	文件：1.38154 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVCE(sat).VCE(sat)=0.25V(Typ.)(IC/IB=4A/0.1A) ExcellentDccurrentgaincharacteristics	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD2097	文件：299.12 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN)	KOOCHIN SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS CO., LTD.	KOOCHIN
2SD2097	文件：414.28 Kbytes Page：3 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors	JIANGSU Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd	JIANGSU
2SD2097	文件：109.28 Kbytes Page：5 Pages	LowVCE(sat)transistor(strobeflash)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2097	文件：159.27 Kbytes Page：4 Pages	LowVCE(sat)Transistor(Strobeflash) Features 1)LowVCE(sat). VCE(sat)=0.25V(Typ.) (IC/IB=4A/0.1A) 2)ExcellentDCcurrentgaincharacteristics. 3)Complementsthe 2SB1386/2SB1412/2SB1326/2SB1436. Structure Epitaxialplanartype NPNsilicontransistor	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD2097-TA	文件：1.38154 Mbytes Page：4 Pages	TO-92Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES LowVCE(sat).VCE(sat)=0.25V(Typ.)(IC/IB=4A/0.1A) ExcellentDccurrentgaincharacteristics	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

更多2SD2097-R供应商更新时间2024-9-27 15:22:00