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2SD1979分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SD1979

参数属性

2SD1979 封装/外壳为SC-85;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 20V 0.3A SMINI3

功能描述

Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
TRANS NPN 20V 0.3A SMINI3

封装外壳

SC-85

文件大小

37.76 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

PANASONIC

中文名称

松下

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-3 19:19:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD1979

  • 别名:

    2SD1979三极管、2SD1979晶体管、2SD1979晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.3A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC4366,2SC4181,2SC4213,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

    β>500

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    50

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.3

  • wtest:

    0

2SD1979规格书详情

2SD1979属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由松下电器制造生产的2SD1979晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

Silicon NPN epitaxial planar type

For low frequency amplification

For muting

For DC-DC converter

■ Features

• Low ON resistance Ron

• High forward current transfer ratio hFE

• S-Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing.

产品属性

更多
  • 产品编号:

    2SD1979GSL

  • 制造商:

    Panasonic Electronic Components

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    100mV @ 3mA,30mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    500 @ 4mA,2V

  • 频率 - 跃迁:

    80MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-85

  • 供应商器件封装:

    S迷你型3-F2

  • 描述:

    TRANS NPN 20V 0.3A SMINI3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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