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2SD1976中文资料日立数据手册PDF规格书

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厂商型号

2SD1976

功能描述

Silicon NPN Triple Diffused

文件大小

36.04 Kbytes

页面数量

6

生产厂商

HITACHI Hitachi Semiconductor

中文名称

日立 日立公司

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-8 22:30:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD1976

  • 别名:

    2SD1976三极管、2SD1976晶体管、2SD1976晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    INT.Z_DIODE

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    300V

  • 最大电流允许值:

    6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SD991,2SD1071,2SD1088,2SD1113,2SD1162,2SD1909,

  • 最大耗散功率:

    40W

  • 放大倍数:

    β>500

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    300

  • htest:

    999900

  • atest:

    6

  • wtest:

    40

2SD1976规格书详情

Silicon NPN Triple Diffused

Feature

• Built-in High voltage zener diode (300 V)

• High Speed switching

Application

High voltage switching, igniter

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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