2SD1805G-E 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

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1+	面议

厂家型号：
2SD1805G-E
产品分类：
芯片
生产厂商：
ON/安森美
库存数量：
9850
产品封装：
NA
生产批号：
2450+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-27 17:41:00

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原厂料号：2SD1805G-E品牌：ON/安森美

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2SD1805G-E是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商ON/安森美/onsemi生产封装NA/TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA的2SD1805G-E晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
2SD1805G-E
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
内容页数：
9 页
文件大小：
405.81 kb
资料说明：
Bipolar Transistor 20V, 5A, Low VCE(sat), NPN Single TP/TP-FA

产品属性

类型
描述
产品编号：
2SD1805G-E
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 60mA，3A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
280 @ 500mA，2V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
供应商器件封装：
TP
描述：
TRANS NPN 20V 5A TP

供应商

企业：
深圳市科恒伟业电子有限公司
商铺：
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联系人：
柯小姐
手机：
15817287769
询价：
电话：
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传真：
0755-83205202
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深圳市福田区振兴路101号华匀大厦1栋5楼B14

2SD1805G-E 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

2SD1805G-E

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