首页 >2SD1760R>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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TO-251-3LPlastic-EncapsulateTransistors | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
iscSiliconNPNPowerTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
MediumPowerTransistor | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
PowerTransistor(50V,3A) | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
PowerTransistor(50V,3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
PowerTransistor50V,3A PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Typ)@IC=2A ·GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ·Powerdissipation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollectorSaturationVoltage- :VCE(sat)=0.5V(Typ)@IC=2A ·GoodLinearityofhFE APPLICATIONS ·Powerdissipation | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
PowerTransistor(50V,3A) PowerTransistor(50V,3A) Features 1)LowVCE(sat), VCE(sat)=0.5V(Typ.) (IC/IB=2A/0.2A) 2)Complementsthe 2SB1184/2SB1243/2SB1185. Structure EpitaxialplanartypeNPNsilicontransistor | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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