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2SD1664	文件：118.74 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1664	文件：365.37 Kbytes Page：3 Pages	MediumPowerTransistor Features LowVCE(sat) Complimentsto2SB1132	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1664	文件：129.94 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1664	文件：188.38 Kbytes Page：3 Pages	MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1664isanepitaxialplanartypeNPNsilicontransistor. FEATURES LowVCE(SAT):VCE(SAT)=0.15V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) Complementthe2SB1132.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1664	文件：118.61 Kbytes Page：3 Pages	MediumPowerTransistor(32V,1A) MediumPowerTransistor(32V,1A) Features 1)LowVCE(sat)=0.15V(Typ.) (lC/lB=500mA/50mA) 2)Compliments2SB1132/2SB1237	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1664	文件：191.79 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
2SD1664	文件：798.95 Kbytes Page：2 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
2SD1664	文件：1.64261 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
2SD1664	文件：496.35 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,1A) FEATURES Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=0.15V(typ.) (IC/iB=500mA/50mA) PC=0.5W Complementthe2SB1132. APPLICATIONS NPNsilicontransistor.	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
2SD1664	文件：458.25 Kbytes Page：6 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTORNPNSILICONEPITAXIALMEDIUMPOWERTRANSISTOR	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI

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