首页 >2SD1664-R-TP-HF>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
NPNSiliconGeneralPurposeTransistor Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
MediumPowerTransistor Features LowVCE(sat) Complimentsto2SB1132 | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
MediumPowerTransistor(32V,1A) | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1664isanepitaxialplanartypeNPNsilicontransistor. FEATURES *LowVCE(SAT):VCE(SAT)=0.15V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) *Complementthe2SB1132. | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | ||
MediumPowerTransistor(32V,1A) MediumPowerTransistor(32V,1A) Features 1)LowVCE(sat)=0.15V(Typ.) (lC/lB=500mA/50mA) 2)Compliments2SB1132/2SB1237 | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
Plastic-EncapsulateTransistors | HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司 | HOTTECH | ||
TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃ | WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司 | WINNERJOIN | ||
TRANSISTOR(NPN) FEATURES LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) Complementsto2SB1132 | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司 | HTSEMI | ||
MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | ||
NPNEpitaxialPlanarTransistors Features: *LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) | WEITRON Weitron Technology | WEITRON |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|
