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2SD1664	文件：118.74 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor Features Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25oC) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operating&StoragejunctionTemperature Tj,Tstg:-55C~+150COO	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1664	文件：365.37 Kbytes Page：3 Pages	MediumPowerTransistor Features LowVCE(sat) Complimentsto2SB1132	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1664	文件：129.94 Kbytes Page：4 Pages	MediumPowerTransistor(32V,1A)	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1664	文件：188.38 Kbytes Page：3 Pages	MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheUTC2SD1664isanepitaxialplanartypeNPNsilicontransistor. FEATURES LowVCE(SAT):VCE(SAT)=0.15V(Typ.) (IC/IB=500mA/50mA) Complementthe2SB1132.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1664	文件：118.61 Kbytes Page：3 Pages	MediumPowerTransistor(32V,1A) MediumPowerTransistor(32V,1A) Features 1)LowVCE(sat)=0.15V(Typ.) (lC/lB=500mA/50mA) 2)Compliments2SB1132/2SB1237	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
2SD1664	文件：230.12 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
2SD1664	文件：126.65 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.5W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:1A Collector-basevoltage V(BR)CBO:40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
2SD1664	文件：755.08 Kbytes Page：3 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA) Complementsto2SB1132	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
2SD1664	文件：123.61 Kbytes Page：4 Pages	MEDIUMPOWERNPNTRANSISTOR	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
2SD1664	文件：278.75 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialPlanarTransistors Features: *LowVCE(sat),VCE(sat)=0.15V(typical).(IC/IB=500mA/50mA)	WEITRON Weitron Technology	WEITRON

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