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2SD1619	文件：845.48 Kbytes Page：3 Pages	Powerdissipation,Collectorbasevoltage	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 時科广东時科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
2SD1619	文件：140.93 Kbytes Page：3 Pages	PNPSiliconMediumPowerTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:500mW˄Tamb=25°C Collectorcurrent ICM:-1A Collector-basevoltage VB(BR)CBO:-25V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55ćto+150ć	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
2SD1619	文件：51.73 Kbytes Page：1 Pages	NPNEpitaxialPlanarSiliconTransistor Features Verysmallsizemakingiteasytoprovidehighdensity,small-sizedhybridIC’s.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
2SD1619	文件：85.62 Kbytes Page：3 Pages	LFAmp,ElectronicGovernorApplications LFAmplifier,ElectronicGovernorApplications Features ·Verysmallsizemakingiteasytoprovidehighdensity,small-sizedhybridIC’s.	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
2SD1619	文件：260.779 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=25V(Min) •ComplementtoType2SB1119 •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation APPLICATIONS •DesignedforLFAmpElectronicGovernorapplications.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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