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2SD1407A-Y(F)

Package:TO-220-3 整包;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 100V 5A TO220NIS

Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

2SD1407

PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR(POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT)

POWER AMPLIFIER VERTICAL DEFLECTION OUTPUT ● Complement to 2SB1016

文件:69.94 Kbytes 页数:1 Pages

WINGS

永盛电子

2SD1407

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High breakdown voltage • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SB1016 APPLICATIONS • Power amplifier applications

文件:151.2 Kbytes 页数:4 Pages

SAVANTIC

2SD1407

Silicon NPN Power Transistors

DESCRIPTION • With TO-220Fa package • High breakdown voltage • Low collector saturation voltage • Complement to type 2SB1016 APPLICATIONS • Power amplifier applications

文件:174.88 Kbytes 页数:4 Pages

ISC

无锡固电

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1407A-Y(F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 400mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    12MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 5A TO220NIS

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Toshiba Semiconductor and Stor
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TO-220NIS
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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更多2SD1407A-Y(F)供应商 更新时间2025-10-30 15:01:00