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2SD1407分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

2SD1407

参数属性

2SD1407 封装/外壳为TO-220-3 整包;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 5A TO220NIS

功能描述

Silicon NPN Power Transistors

封装外壳

TO-220-3 整包

文件大小

152.85 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

SAVANTIC

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数据手册

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更新时间

2026-2-5 17:58:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD1407

  • 别名:

    2SD1407三极管、2SD1407晶体管、2SD1407晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    100V

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    12MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC3057,2SC3691,2SD1236.,2SD1411,2SD1488,2DS1499,2SD1586,2SD1897,2DS1940,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-45

  • vtest:

    100

  • htest:

    12000000

  • atest:

    5

  • wtest:

    30

产品属性

  • 产品编号:

    2SD1407A-Y(F)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    2V @ 400mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    12MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商器件封装:

    TO-220NIS

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 5A TO220NIS

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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