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2SD1373	文件：273.02 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：273.02 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1374	文件：263.87 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：263.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1375	文件：109.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：109.53 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1376	文件：109.88 Kbytes Page：3 Pages	Silicon NPN Power Transistors 文件：109.88 Kbytes 页数：3 Pages	SAVANTIC	SAVANTIC
2SD1377	文件：270.42 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 文件：270.42 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
2SD1376	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Epitaxial	HITACHI 日立	HITACHI
2SD1376(K)	文件：300 bytes Page：1 Pages	Silicon NPN Darlington Transistor	HITACHI 日立	HITACHI

晶体管资料

型号：
2SD1376
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
120V
最大电流允许值：
1.5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
2SD985,2SD986,2SD1438,2SD1741,2SD1953,2SD2019,
最大耗散功率：
20W
放大倍数：
β>2000
图片代号：
B-21
vtest：
120
htest：
999900
atest：
1.5
wtest：
20

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	2SD1376	日立	24+	TO-126	5000		询价
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