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2SD1222	文件：294.51 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=40V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@IC=1A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1222	文件：275.56 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·Collector-EmitterBreakdownVoltage- :V(BR)CEO=40V(Min) ·DCCurrentGain- :hFE=2000(Min)@IC=1A APPLICATIONS ·DC-DCconverter,relaydrivers,lampdrivers,motor drivers,inverter	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
2SD1222	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SD1222	文件：162.29 Kbytes Page：5 Pages	SwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
2SD1222	文件：172.42 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALTYPE(SWITCHING,HAMMERDRIVE,PULSEMOTORDRIVE,POWERAMPLIFIERAPPLICATIONS) SwitchingApplications HammerDrive,PulseMotorDriveApplications PowerAmplifierApplications •HighDCcurrentgain:hFE=2000(min)(VCE=2V,IC=1A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.5V(max)(IC=2A) •Complementaryto2SB907.	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
2SD1222(TE16L1,NQ)
制造商：
Toshiba
功能描述：
NPN

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市联世界科技有限公司	2SD1222(TE16L1,NQ)	TOSHIBA	24+/25+		550	原装正品现货库存价优	询价
深圳市威雅利发展有限公司	2SD1222(TE16L1NQ)	TOSHIBA	1014+	TO252	2000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
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深圳市航润创能电子集团有限公司	2SD1222(TE16L1NQ)	TOSHIBA	21+	TO252	2000	原装现货假一赔十	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	2SD1222MOS(场效应管)	TOSHIBA/东芝	23+	TO-252	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	2SD1222MOS(场效应管)	TOSHIBA/东芝	24+	TO-252	60000	全新原装现货	询价
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更多2SD1222(TE16L1,NQ)供应商更新时间2025-6-24 17:27:00

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