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2SD1207T-AE数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
2SD1207T-AE |
| 参数属性 | 2SD1207T-AE 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 50V 2A TO92 |
| 功能描述 | TRANS NPN 50V 2A 3MP |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 23:00:00 |
| 人工找货 | 2SD1207T-AE价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
2SD1207T-AE规格书详情
简介
2SD1207T-AE属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的2SD1207T-AE晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：2SD1207T-AE
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）
：2A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）
：50V
- 不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
：400mV @ 50mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）
：100nA（ICBO）
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
：100 @ 100mA，2V
- 功率 - 最大值
：1W
- 频率 - 跃迁
：150MHz
- 工作温度
：150°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 封装/外壳
：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
- 供应商器件封装
：3-MP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO/三洋 |
24+ |
NA/ |
4250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
SANYO/三洋 |
25+ |
PBFREE |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
22+ |
TO92L |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | |||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
NEC |
20+ |
TO-218 |
38900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
HITACHI |
24+/25+ |
984 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
ON/安森美 |
12+ |
TO-92 |
100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
TO-92L |
21+ |
TO-92L |
1480 |
原装现货假一赔十 |
询价 | ||
ON/安森美 |
23+ |
TO-92L |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
询价 | ||
SANYO |
PBFREE |
8560 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
