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2SD1182中文资料20V,5A,Medium Power NPN Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书

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厂商型号

2SD1182

功能描述

20V,5A,Medium Power NPN Bipolar Transistor

制造商

Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2026-1-26 22:52:00

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晶体管资料

  • 型号:

    2SD1182

  • 别名:

    2SD1182三极管、2SD1182晶体管、2SD1182晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    180V

  • 最大电流允许值:

    1.5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC2660,2SC2660A,2SC3117,2SD563A,2SD669A,2SD760,2SD772A,2SD772B,

  • 最大耗散功率:

    50W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    A-61

  • vtest:

    180

  • htest:

    999900

  • atest:

    1.5

  • wtest:

    50

技术参数

  • 制造商编号

    :2SD1182

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • V(BR)CEO_Min_(V)

    :20

  • IC_(A)

    :5

  • hFE _Min

    :120

  • hFE _Max

    :390

  • VCE_(V)

    :2

  • IC_(mA)

    :500

  • VCE(sat)(V)

    :1

  • IC_(mA)1

    :4000

  • IB_(mA)

    :100

  • fT _Min _(MHz)

    :150+

  • PTM _Max_(W)

    :1

  • Package_Outlines

    :TO-251/252

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